[미디어펜=김견희 기자]SK하이닉스가 차세대 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM4 개발을 완료하고, 세계 최초로 양산 체제를 구축했다고 12일 밝혔다. 글로벌 AI 수요 폭증 속에서 가장 앞선 HBM 기술을 확보하며 AI 메모리 시장 리더십을 다시 한번 입증했다는 평가다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 기존 D램 대비 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치·고성능 제품이다. 1세대(HBM)부터 HBM2, HBM2E, HBM3, HBM3E를 거쳐 이번에 6세대인 HBM4 개발이 완료됐다.

조주환 SK하이닉스 부사장(HBM개발 담당)은 “HBM4 개발은 업계의 새로운 이정표가 될 것”이라며 “고객이 요구하는 성능, 에너지 효율, 신뢰성을 모두 충족하는 제품을 적시에 공급해 AI 메모리 시장 경쟁 우위를 강화하고 신속한 시장 진입을 실현할 것”이라고 강조했다.

최근 AI 수요와 데이터 처리량이 폭발적으로 늘어나면서, 데이터센터 운영의 막대한 전력 부담을 해결할 수 있는 고대역폭 메모리에 대한 시장 요구가 급증하고 있다. SK하이닉스는 향상된 대역폭과 전력 효율을 갖춘 HBM4가 이러한 요구에 최적의 해법이 될 것으로 전망했다.

HBM4는 2048개의 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 전 세대 대비 대역폭을 2배로 확대했으며, 전력 효율은 40% 이상 향상됐다. 이를 고객 시스템에 적용할 경우 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 높일 수 있어, 데이터 병목 현상을 근본적으로 해소하는 동시에 데이터센터 전력 비용 절감 효과도 기대된다.

또한 10Gbps(초당 10기가비트) 이상의 동작 속도를 구현, 국제반도체표준협의기구(JEDEC)에서 규정한 HBM4 표준 속도(8Gbps)를 크게 뛰어넘었다. 양산 과정에는 자사 고유의 어드밴스드 MR-MUF 공정과 10나노급 5세대(1bnm) D램 기술을 적용해 안정성을 확보했다.

업계에서는 이번 성과가 글로벌 AI 반도체 공급망 경쟁 속에서 SK하이닉스의 기술 리더십을 더욱 공고히 하는 계기가 될 것으로 보고 있다.