[미디어펜=김견희 기자]DB하이텍이 차세대 전력반도체인 '650V 전계모드 질화갈륨 고전자이동도 트랜지스터(E-Mode GaN HEMT)' 공정 개발을 마무리하고, 시험 생산용 웨이퍼를 오는 10월 말부터 제공한다고 11일 밝혔다.

GaN 소재 반도체는 기존 실리콘(Si) 기반 제품 대비 고전압·고주파·고온에 강하고 전력 효율이 뛰어나 차세대 전력반도체로 주목받고 있다. 전기차, AI 데이터센터, 고속 충전, 5G, 로봇 등 고성장 분야에서 수요가 급증하는 추세다. 

이번에 DB하이텍이 선보인 650V E-Mode GaN HEMT 공정은 고속 스위칭과 안정성이 특징으로, 전기차 충전기, 데이터센터 전력변환기, 5G 통신장비 등에서 활용도가 높다. 

회사는 이미 세계 최초로 0.18㎛ BCDMOS(복합전압소자) 공정을 개발한 경험을 바탕으로 Si 기반 전력반도체에서 글로벌 기술 경쟁력을 인정받고 있으며, GaN 공정 개발로 파운드리 경쟁력을 한층 강화하게 됐다.

DB하이텍은 이번 650V 공정을 시작으로 IC(집적회로) 형태 설계가 가능한 200V GaN과 650V GaN 공정을 2026년 말까지 순차 개발할 계획이다. 이후에는 고객 수요와 시장 상황에 따라 더 넓은 전압대로 확장, 사업 기반을 강화한다는 방침이다.

생산 능력도 확대하고 있다. 충북 음성 상우캠퍼스에는 8인치 웨이퍼 월 3만5000장 규모의 신규 클린룸 증설이 진행되고 있으며, 완공 시 BCDMOS, SiC, GaN 등 화합물반도체 생산이 가능하다. 증설 완료 후 DB하이텍의 월 생산능력은 현재 15만4000장에서 19만 장으로 23% 확대된다.

DB하이텍은 SiC 기술 홍보와 고객 네트워크 강화를 위해 오는 15일부터 18일까지 부산 벡스코에서 열리는 ‘ICSCRM 2025(국제탄화규소학술대회)’에 참가한다. 전시에서는 GaN과 BCDMOS 등 최신 전력반도체 기술 개발 현황을 공개하고 글로벌 고객 및 업계 관계자와 교류할 예정이다.