[미디어펜=조한진 기자]IBM은 삼성, 글로벌파운드리와 함께 업계 최초로 5나노미터칩 제조가 가능한 실리콘 나노시트트랜지스터 생산 공정 개발에 성공했다고 5일 밝혔다.

삼성, 글로벌파운드리가 함께하는 IBM 리서치 연합은 200억개의 트랜지스터를 집적할 수 있는 7나노 테스트 노드칩 개발에 성공한지 2년도 지나지 않아 공정을 또 다시 업그레이드 했다.

이번에 개발한 5나노 트랜지스터 공정은 손톱만한 크기의 칩에 300억 개의 트랜지스터를 집적할 수 있는 기술이다.

이 기술이 보편화 되면 클라우드를 통해 제공되는 인공지능을 포함한 코그너티브(인지) 컴퓨팅, 사물인터넷(IoT) 및 기타 데이터 집약적 애플리케이션의 성능 향상은 물론, 관련 기술의 발전이 가속화될 것으로 보인다.

또한, 전력 효율성 개선으로 스마트폰과 기타 모바일 제품의 배터리 지속시간이 최대 2~3배 늘어날 전망이다.

뉴욕주립대(SUNY) 폴리테크닉 연구소 나노스케일 과학 공학 대학의 나노테크 컴플렉스에서 진행된 이번 연구에서 과학자들은 기존의 핀펫(FinFET) 아키텍처 대신 실리콘 나노시트 스택을 사용했다.

현재 시장에서 사용되고 있는 최신 10나노 칩과 비교했을 때, 나노시트 기반의 5나노 기술을 사용하면 동일한 전력 소모 시 성능이 40% 향상되고, 동일한 성능에서는 전력 소모량이 75% 감소한다.

IBM 리서치 측은 “이번 연구를 통해 업계 최초로 핀펫 아키텍처보다 우수한 전기적 특성을 가진 적층 나노시트 디바이스를 설계하고 제조할 수 있음을 입증했다”고 설명했다.

한편 IBM은 지난 2014년 향후 5년 간 칩 연구 개발에 30억달러를 투자하겠다고 발표한 바 있다.