[미디어펜=박규빈 기자]DB하이텍은 130nm∙110nm 기술을 기반으로 RF SOI와 RF HRS 공정을 확보해 RF프론트엔드 사업 확대에 본격적으로 나섰다고 12일 밝혔다.

RF프론트엔드는 무선 통신에 필수적인 제품으로, IT 기기 간 송신-수신을 담당하며, 스마트폰, IoT 등 통신이 필요한 분야에서 다양하게 활용되고 있다. 일반적으로 △안테나 튜너 △스위치 △저잡음 증폭기 △전력 증폭기 등 각각의 부품이 한데 모인 모듈 형태로 구성돼 있다.

무선 통신 기술이 5G로 발전함에 따라 고주파·고감도 특성을 가진 고성능 통신에 대한 수요가 지속적으로 확대되고 있다. 이 가운데 RF 프론트엔드의 중요성도 점점 더 높아지고 있다. 이에 따라 RF프론트엔드 시장은 2019년 124억달러 수준이던 시장 규모는 2025년 217억달러까지 가파른 성장이 전망된다.

RF 프론트엔드 내 여러 부품 중에서 DB하이텍이 타겟하고 있는 제품은 스위치와 저잡음 증폭기다. 스위치는 주파수를 송수신할 때 끄고 켜는 하는 역할을 한다. 저잡음 증폭기는 주파수를 증폭시켜 보다 정확한 신호를 전달하는 것으로 5G 등 고속 통신에서 가장 핵심적인 제품이다.

DB하이텍 관계자는 "기존 RF 공정에 누설전류를 차단하거나 최소화하는 SOI와 HRS 웨이퍼를 더해 그 성능을 대폭 개선했다"고 말했다.

특히 130nm 기술을 기반으로 한 RF SOI 공정의 경우, 스위치의 FOM이 84fs, BV가 4.4V다. 저잡음 증폭기는 120GHz 차단 주파수까지 지원 가능하며, 22년 상반기 내 150GHz 이상의 저잡음 주파수 제품을 지원할 수 있도록 준비 중이다.

110nm 기술을 기반으로 한 RF HRS 공정은 우수한 가격 경쟁력을 가지고 있다는 설명이다. 스위치의 FOM은 164fs이고 BV는 4.6V이며 100GHz 차단 주파수 성능을 가지는 저잡음 증폭기 소자를 보유하고 있다.

한편 DB하이텍은 올해 상반기 내 150GHz 이상의 저잡음 증폭기를 지원할 수 있도록 개발 중이다.