[미디어펜=김견희 기자]이재용 삼성전자 회장이 반도체 현장을 직접 찾아 차세대 기술 경쟁력을 점검하고 임직원들을 격려했다. 인공지능(AI) 반도체를 중심으로 글로벌 경쟁이 격화하는 가운데, 본원적 기술 경쟁력 회복에 대한 강한 의지를 다시 한 번 드러냈다.

22일 재계에 따르면 이 회장은 이날 기흥과 화성 반도체 캠퍼스를 잇달아 방문해 연구개발(R&D)과 제조 현장을 둘러봤다. 먼저 기흥캠퍼스에서는 첨단 복합 반도체 R&D 단지인 NRD-K를 찾아 차세대 연구개발 시설 현황과 함께 메모리, 파운드리(반도체 수탁생산), 시스템반도체 등 주요 기술 경쟁력을 점검했다. NRD-K는 공정 미세화에 따른 기술적 한계를 극복하고 차세대 반도체 설계·공정 기술을 개발하기 위해 구축된 핵심 연구 거점이다.

이 회장은 이어 화성캠퍼스로 이동해 디지털 트윈과 로봇을 적용한 제조 자동화 시스템 구축 현황, AI 기술 활용 사례 등을 살펴봤다. 현장에서는 전영현 DS부문장(부회장), 송재혁 DS부문 CTO(사장) 등 주요 경영진과 함께 글로벌 반도체 산업 트렌드와 중장기 전략에 대해 논의한 것으로 알려졌다.

특히 이날 일정에서는 고대역폭메모리(HBM), D1c D램, V10 낸드메모리 등 최첨단 반도체 제품의 사업화에 기여한 개발·제조·품질 인력들과의 간담회도 진행됐다. 이 회장은 현장 직원들의 의견을 직접 청취하며 기술 경쟁력 강화의 중요성을 강조한 것으로 전해졌다. 이 회장은 “과감한 혁신과 투자를 통해 본원적 기술 경쟁력을 회복하자”고 당부했다.

이번 현장 방문은 최근 반도체 사업의 실적 개선 흐름과도 맞물려 있다. 삼성전자는 올해 3분기부터 HBM 출하량을 본격 확대하며 사업 회복 신호를 나타냈다. 글로벌 AI 인프라 투자 확대에 힘입어 범용 D램 가격이 상승세를 이어가면서 수익성도 빠르게 개선되고 있다.

시장에선 삼성전자 메모리 사업부의 영업이익이 올해 상반기 약 6조3500억 원에서 하반기 23 조원 이상으로 급증할 것으로 보고 있다. 연간 기준으로는 30 조원에 육박하는 영업이익을 기록할 것이란 전망도 나온다. 내년에는 D램에서 D1c 공정 경쟁력, 파운드리 부문에서의 베이스 다이 기술과 생산 능력을 바탕으로 메모리 1위 위상을 확고히 할 수 있을지 주목된다.

차세대 HBM을 둘러싼 기대감도 커지고 있다. 삼성전자는 6세대 HBM인 HBM4 개발을 완료하고 주요 고객사에 샘플을 공급한 상태다. 업계에서는 내년 출시 예정인 엔비디아의 차세대 AI 가속기 ‘베라 루빈’에 HBM4가 탑재될 가능성이 높다고 보고 있다. 실제로 글로벌 주요 빅테크들이 삼성전자의 HBM4를 채택하며 토털 반도체 설루션에 대한 신뢰도를 높이고 있다는 평가도 나온다.

HBM3E 역시 고객사 확대가 이어지고 있다. 올해 3분기 HBM3E 판매량은 전 분기 대비 1.8배 이상 증가했으며, 삼성전자는 급증하는 차세대 HBM 수요에 대응하기 위해 D1c 생산 능력을 적극적으로 늘리고 있다. 업계에서는 삼성전자의 내년 HBM 판매량이 올해 대비 2.5배 이상 증가할 가능성도 있을 것으로 관측하고 있다.

재계 관계자는 “이 회장의 이번 현장 행보는 단순 격려 차원을 넘어, AI 반도체 시대를 맞아 기술 중심 경영에 다시 한 번 방점을 찍은 것”이라며 “메모리와 파운드리를 아우르는 경쟁력 회복 전략이 본격화할 지 주목된다”고 말했다.