저전력 특성 바탕으로 온디바이스 AI 구현에 최적화
[미디어펜=김견희 기자]SK하이닉스는 세계 최고층 321단 1Tb TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드 플래시를 적용한 모바일용 솔루션 'UFS 4.1'을 개발했다고 22일 밝혔다.

   
▲ SK하이닉스가 개발한 모바일용 솔루션 'UFS 4.1'. 세계 최고층 321단 1Tb TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드 플래시가 적용됐다./사진=SK하이닉스 제공


이번 신제품은 고성능과 저전력을 모두 갖춰 온디바이스 인공지능(AI) 구현에 최적화됐다. SK하이닉스는 “AI 워크로드에 최적화된 UFS 4.1 제품으로 플래그십 스마트폰 시장에서도 메모리 리더십을 이어가겠다”고 밝혔다. 워크로드는 주어진 시간 안에 처리해야 할 작업량을 의미하며, AI 환경에서는 대량의 데이터를 신속하게 처리할 수 있는 메모리 솔루션이 필수다.

UFS 4.1은 기존 238단 낸드 플래시 기반 제품 대비 전력 효율이 7% 향상됐으며, 두께도 1mm에서 0.85mm로 줄어 초슬림 스마트폰 탑재에 적합하다. 순차 읽기 속도는 최대 4300MB/s로 4세대 UFS 제품 가운데 최고 수준이다. 특히, 모바일 기기의 멀티태스킹 성능을 결정하는 랜덤 읽기와 쓰기 속도는 전 세대 대비 각각 15%, 40% 향상됐다.

이러한 성능 개선은 앱 실행 속도와 반응성을 높여, 사용자 체감 성능을 크게 끌어올릴 것으로 기대된다. SK하이닉스는 이번 제품을 512GB, 1TB 두 가지 용량으로 개발했으며 연내 고객사 인증을 거쳐 내년 1분기부터 본격 양산할 계획이다.

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 “이번 제품 출시를 시작으로, 321단 4D 낸드를 적용한 소비자용·데이터센터용 SSD도 연내 개발을 마무리할 것”이라며 “AI 기술 경쟁력을 갖춘 낸드 포트폴리오를 통해 ‘풀스택 AI 메모리 프로바이더’로서의 입지를 강화하겠다”고 말했다.
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